У той час як Apple і Google зайняті поширенням хмарних сервісів зберігання для ваших мобільних пристроїв, Samsung уже розробила флеш-накопичувач наступного покоління. Південнокорейський виробник оголосив про випуск V-NAND п'ятого покоління, який поставляється з чіпами eUFS ємністю 1 ТБ.
Новий чіп має такий самий розмір, що і накопичувач минулого покоління на 512 ГБ – 11,5 х 13 мм. Новий модуль виконаний з 16 шарів 5-гигабитного V-NAND, а новітній контролер, за словами Samsung, забезпечить найкращу продуктивність в галузі мобільних накопичувачів.
Чіпи Universal Flash Storage першого покоління з'явилися 4 роки тому об'ємом в 128 ГБ. Хоча в той час вони були відносно швидкими, швидкості читання і запису більш ніж подвоїлися. Для свого часу ці модулі пам'яті від Samsung були дуже швидкими, але до моменту виходу V-NAND п'ятого покоління їх швидкість читання і запису подвоїлася.
Samsung заявляє, що швидкість послідовного читання становить до 1000 МБ/с, що вдвічі більше, ніж у звичайного 2,5-дюймового SATA SSD, а частота послідовного запису тепер досягає 260 МБ/с. Випадкове читання на 1 ТБ виявилося на 38% швидше в порівнянні зі старим чипом четвертого покоління на 512 ГБ.
На практиці такі швидкості дозволять наступного смартфону Samsung Galaxy S10, наприклад плавно знімати відео зі швидкістю 960 кадрів на секунду без затримок, або зберігати близько 100 годин відео в дозволі 4K.
Медики виявили, що українці масово сліпнуть через комп'ютери і смартфони:
Нагадаємо, що раніше були розкриті всі секрети iPhone XI (2019). А нещодавно Samsung розкрила дату виходу смартфона майбутнього зі складаним екраном.